Книга: Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

7.1.5. Модули динамической памяти

7.1.5. Модули динамической памяти

Динамическая память чаще всего применяется в виде модулей с разрядностью 1, 2, 4 или 8 байт, которые могут устанавливаться пользователем без каких-либо приспособлений. Модули стандартизованы, поэтому обеспечивается взаимная совместимость.

SIPP и SIMM-30 — самые первые модули с однобайтной организацией, применялись вплоть до 486-х процессоров.

SIMM-72-pin — 4-байтные модули, применявшиеся на системных платах для 486 и Pentium.

DIMM-168 — 8-байтные модули для Pentium и выше. Существует два поколения, существенно различных по интерфейсу. Модули DIMM 168-pin Buffered (1-го поколения), как и слоты для них, встречаются редко и с широко распространенными модулями DIMM 2-го поколения несовместимы даже механически (по ключам). Наиболее популярно второе поколение с микросхемами SDRAM. Различают модификации в зависимости от наличия буферов или регистров на управляющих сигналах: Unbuffered, Buffered и Registered.

DIMM-184 — 8-байтные модули DDR SDRAM для системных плат 6–7 поколений процессоров.

RIMM — 2-байтные модули RDRAM для системных плат 6–7 поколений процессоров.

SO DIMM (72 и 144-pin) и SO RIMM — малогабаритные варианты модулей (для блокнотных ПК).

AIMM (AGP Inline Memory Module), они же GPA Card (Graphics Performance Accelerator) — 66-контактные 32- или 16-битные модули SDRAM, предназначенные для расширения памяти графических адаптеров, встроенных в системную плату.

Не пересчитывая контакты, отличить «короткие» SIMM от «длинных» и DIMM-модулей легко по их размеру: длина модуля SIMM-30 pin примерно 89 мм, SIMM-72 — 108 мм. Модули DIMM-168 и DIMM-184 имеют одинаковую длину около 134 мм (5,25"), но у 168-контактных модулей два ключа, а у 184-контактных — один (за счет чего больше контактов); кроме того, у DIMM-184 по две прорези по бокам, а не по одной. Модули RIMM имеют ту же длину, но легко отличимы по меньшему числу контактов — середина краевого разъема свободна от ламелей. У модулей RIMM микросхемы памяти закрыты пластиной радиатора. Кроме того, их левый ключ гораздо ближе к центру, чем у DIMM.

Модули памяти применяются и в принтерах (лазерных) — DIMM-168, 100-Pin DIMM, AIMM, SO DIMM-144, но иногда для них требуются и специальные модули (по конструктиву или параметрам).

Современные модули памяти имеют шину данных разрядностью 1, 4 или 8 байт. Кроме основных информационных бит, модули могут иметь дополнительные контрольные биты с различной организацией.

? Модули без контрольных бит (non Parity) имеют разрядность 8, 32 или 64 бита и допускают независимое побайтное обращение с помощью отдельных для каждого байта линий CAS#.

? Модули с контролем паритета (Parity) имеют разрядность 9, 36 или 72 бита и также допускают независимое побайтное обращение, контрольные биты по обращению приписаны к соответствующим байтам.

? Модули с генератором паритета (Fake Parity, Parity Generator, Logical Parity) так же допускают независимое побайтное обращение, логические генераторы паритета по чтению приписаны к соответствующим байтам. Действительного контроля памяти они не обеспечивают.

? Модули с контролем по схеме ЕСС имеют разрядность 36, 40, 72 или 80 бит. Обычно они допускают побайтное обращение к информационным битам, но контрольные биты у них привязаны к одному или нескольким сигналам CAS#, поскольку ЕСС подразумевает обращение сразу к целому слову.

ECC-Optimized — модули, оптимизированные под режим ЕСС. От обычных модулей ЕСС они отличаются тем, что могут не обеспечивать побайтное обращение к информационным битам.

ECC-on-Simm (EOS) — модули со встроенной схемой исправления ошибок. Каждый байт модуля имеет встроенные средства контроля и исправления ошибок, работающие прозрачно. Для системы модули функционируют как обычные паритетные — в случае обнаружения неисправимой ошибки они генерируют ошибочный бит паритета. Эти модули обеспечивают отказоустойчивость по памяти (Kill Protected Memory) для системных плат, поддерживающих только контроль паритета. По «благородству» поведения (делают больше, чем «говорят») они являются прямой противоположностью модулям с генератором паритета.

Набор сигналов модуля SIMM в основном совпадает с сигналами одиночных микросхем динамической памяти. Основные характеристики распространенных модулей приведены в табл. 7.5, более подробное описание — в следующих разделах.

Таблица 7.5. Основные характеристики модулей памяти

Модуль Разрядность?, бит Объем, Мбайт Тип Питание, В Спецификация
SIMM-30, SIPP 8 (9) 0,25-4 FPM, EDO 5 60, 70, 80 нс
SIMM-72 32 (36) 1-32 FPM, EDO, BEDO 5 50, 60, 70 нс
DIMM-168-I 64 (72,80) 8-256 FPM, EDO 5 50, 60, 70 нс
DIMM-168-II 64 (72, 80) 8-512 FPM, EDO 5, 3,3 50, 60, 70 нс
DIMM-168-II 64 (72, 80) 8-1024 SDRAM 3,3 PC66, РС100, PC133
DIMM-184 64 (72, 80) 128, 256… DDR SDRAM 2,5 PC1600, PC2100
AIMM 32 4 SDRAM 3,3 166 МГц
100-Pin DIMM 32 4-128 SDRAM 3,3 100,125 МГц
100-Pin DIMM 32 4-32 FPM, EDO 3,3 50, 60 нс
SO DIMM-72 32 (36) 4-32 FPM, EDO 3,3 50, 60 нс
SO DIMM-144 64 (72) 32,64 FPM, EDO 3,3 50, 60 нс
SO DIMM-144 64 (72) 32-256 SDRAM 3,3 66, 100, 125, 133 МГц
RIMM 16 (18) 64, 96, 128, 256 RDRAM 2,5 PC600, PC700, PC800

? В скобках указана разрядность с учетом битов паритета или ЕСС.

Спецификация быстродействия у разных типов памяти отражает различные параметры и выбирается исходя из технических и маркетинговых соображений. Для асинхронной памяти указывают время доступа (в наносекундах). Для памяти SDRAM указывается тактовая частота, на которой она работает с достойным значением латентности (на более высокой частоте она, возможно, и будет работать, но с большим значением CL). Обозначения PC66, PC100 и PC133 здесь тоже указывают на частоту (отсутствие обозначения соответствует 66 МГц — поначалу иных спецификаций не было), а также на соответствие спецификациям Intel. Для DDR SDRAM числа в спецификации отражают пиковую пропускную способность (Мбайт/с): PC1600 (8 байт, 2?100 МГц), PC2100 (8 байт, 2?133 МГц). Для RDRAM числа в названии (600, 700 и 800) обозначают округленную частоту (2?300, 2?356 и 2?400 МГц) схода двухбайтных данных с конвейера RDRAM. Таким образом, их пиковая производительность составляет 1200, 1424 и 1600 Мбайт/с.

Маркировка модулей SDRAM, согласно спецификациям Intel, имеет вид PCX-abc-defY, где X — частота, МГц; а = CL (Cas Latency, в тактах), b = Trcd (задержка RAS-CAS), с = Trp (время предзаряда RAS), d = Тас (время доступа), e — ревизия последовательной идентификации (SPD), f — резервный символ, Y — символ архитектурных особенностей (R — признак наличия регистров; отсутствие символа означает отсутствие регистров и буферов). Временны?е характеристики задаются в десятках нс, но Тас может задаваться и в наносекундах. Номер ревизии SDP может содержать как последнюю цифру, так и обе. Так, модуль PC100-322-620 работает на частоте 100 МГц при CL = 3 и Тас = 60 нс, SPD ревизии 1.2. Но он может обозначаться и как PC 100-322-60120. Модуль PC100-322-620R имеет те же параметры, но еще снабжен и регистрами.

Существуют адаптеры, преобразующие форматы модулей SIMM (SIMMVerter, SIMMSaver). Они позволяют, например, сложить из четырех SIMM-30 один SIMM-72 или из двух односторонних SIMM-72 сложить один двусторонний. Трудно назвать такие конструктивные решения элегантными и надежными (появляется слишком много механических соединений и контактов), но их применение может быть оправданно при дефиците гнезд на плате. Или, например, при наличии четырех 4-мегабайтных модулей SIMM-30 можно сделать 16-мегабайтный SIMM-72. Следует помнить о повышенной нагрузке на шины, вносимой такими «супермодулями» с непомерным количеством микросхем и проводников.

Идентификация модулей

Для автоматической идентификации наличия и типа установленного модуля применяются различные методы, основанные на считывании конфигурационной информации с модуля (параллельная или последовательная идентификация) или «исследовании» свойств модуля во время начального тестирования по включении питания.

Метод параллельной идентификации начал применяться с модулями SIPP и SIMM-30 фирмы IBM. В интерфейс этих модулей были введены два дополнительных вывода, и по заземленным (на модуле) сигналам системная плата могла распознать наличие и объем установленной памяти. В SIMM-72 для идентификации предназначались 4 вывода (для ECC-модулей — 5), которые должны были нести информацию об объеме, быстродействии и типе применяемой памяти. Этот метод не выдержал натиска новых типов памяти, поскольку описать их важнейшие параметры четырьмя битами невозможно. В SO DIMM-72 используют 7 бит, в DIMM-168 первого поколения — 10, что тоже не решает проблем.

Новые модули памяти — DIMM-168 второго поколения, SO DIMM-144, DIMM-184 используют последовательную идентификацию (Serial Presence Detection). На модуль устанавливается микросхема специальной энергонезависимой памяти с последовательным доступом по двухпроводному интерфейсу I?С, хранящая исчерпывающую конфигурационную информацию. Формат конфигурационных данных стандартизован JEDEC, из доступных 256 байт под параметры пока определены только первые 32 и еще 32 зарезервированы, 64 байта отданы под информацию производителя (табл. 7.6). Основные параметры описываются в явном виде, например, временны?е — в наносекундах, количество бит адреса задается числами. Интерфейс I?С позволяет легко объединять его сигналы со всех модулей, что существенно проще, чем коммутация 4-10 линий параллельной идентификации. На разъем модулей DIMM-168 выведены 3 бита адреса SA[0:2], что позволяет разводкой этих выводов адресовать до восьми модулей с объединенными линиями синхронизации и данных. При необходимости расширения следующие восемь модулей потребуют от контроллера (чипсета) еще только одной двунаправленной или выходной линии. Адрес в SO DIMM-144 фиксирован, так что двухпроводный интерфейс позволяет опрашивать только один модуль, а каждый следующий модуль потребует по одной дополнительной линии.

Таблица 7.6. Назначение байт последовательной идентификации

Байт Назначение
Стандартизованная информация о микросхеме
0 Число записанных байт конфигурационной памяти
1 Разрядность адреса микросхемы Serial PD (определяет объем конфигурационной памяти: 1–2 байта, 2–4 байта, 0Dh — 8 Кбайт)
2 Тип памяти: 00 — резерв, 01 — Std FPM, 02 — EDO, 03 — Pipelined Nibble (BEDO), 04 —SDRAM
3 Количество бит адреса строк в банке 1 (биты 0–3) и банке 2 (биты 4–7) по модулю 16 (0 — не определено, 1–1 или 16,2–2 или 17 и т. д.) Если банки одинаковые, то биты 4–7 нулевые
4 Количество бит адреса столбцов (аналогично предыдущему)
5 Количество банков (рядов микросхем)
6-7 Разрядность данных с учетом контрольных бит (если менее 255, байт 7–0)
8 Уровень напряжения интерфейса: 0 — 7TL/5B, 01 —LVTTL (не допускает 5 В), 02 — HSTL 1.5, 03 — SSTL 3.3,04 — SSTL 2.5
9 Для DRAM — RAS Access time (в наносекундах). Для SDRAM — минимальное время цикла (Tclk) для максимального значения CL (десятые доли не в BCD-коде)
10 Для DRAM — CAS Access time (в наносекундах). Для SDRAM — время доступа относительно тактового импульса (Тас) аналогично предыдущему
11 Схема контроля: 00 — Non-Parity, 01 — Parity, 02 — ЕСС
12 Частота (тип) регенерации: 00 — Normal (распределенный цикл 156 мкс), 01 — Reduced 0.25х (39 мкс), 02 — Reduced 0.5х (78 мкс), 03 — Extended 2x (313 мкс), 04 — Extended 4x (625 мкс), 05 — Extended 8x (125 мкс). Бит 7 является признаком саморегенерации (биты 6:0 кодируют те же периоды)
13 Разрядность микросхем основной памяти, бит. Бит 7 равен 1, если имеется второй банк с удвоенной разрядностью микросхем. Если банк один или оба банка одинаковы, бит 7 равен 0
14 Разрядность микросхем контрольных разрядов, бит (аналогично)
15-30 Детальное описание временных и организационных параметров SDRAM
31 Объемы банков (рядов микросхем): бит 0–4 Мбайт, бит 1–8 Мбайт, бит 7 — 512 Мбайт, единичное значение устанавливается в одном или нескольких (двух) битах
32-35 Время предварительной установки и удержания входных сигналов
36-61 Резерв
62 Ревизия SPD (две BCD-цифры)
63 Контрольная сумма байт 0-62 по модулю 256
Информация изготовителя
64-71 Идентификатор производителя по JEDEC
72 Код страны производителя
73-90 Код изделия (ASCII)
91-92 Код модификации
93-94 Дата изготовления (wwyy — неделя, год)
95-98 Серийный номер
99-127 Специальные данные изготовителя
126 Спецификация частоты (для Intel) DIMM SDRAM. Частота 66 МГц задается кодом 66h, более высокие значения — числом МГц (100 = 64h)
127 Детализация для SDRAM 100 МГц (для Intel)

Байты 128–255 конфигурационной памяти свободны. Эту область в принципе можно занимать для пометки компьютера (точнее, модуля памяти) с целью привязки программного обеспечения к конкретному экземпляру PC. Однако при неосторожном использовании модулей с микросхемами без защиты от модификации случайная запись в ячейки 0-127 может привести к недоступности модуля памяти. «Оживить» его можно будет только записью корректных данных.

Модули SIMM-30, SIPP, SIMM-72

Модули SIMM (Single In-Line Memory Module) и SIPP (Single In-Line Pin Package) представляют собой небольшие печатные платы с односторонним краевым разъемом. Контактами модулей SIMM являются позолоченные (или покрытые специальным сплавом) площадки, расположенные на обеих поверхностях вдоль одной из сторон. Слово Single (одиночный) в названии подразумевает, что пары площадок на обеих сторонах эквивалентны (электрически соединяются между собой). У малораспространенных модулей SIPP контакты штырьковые (pin — иголка); эти контакты при необходимости можно припаять к площадкам модулей SIMM (такие контакты когда-то даже продавались в комплекте с модулями SIMM). Модули SIPP оказались непрактичными — их контакты не выдерживают транспортировки и многократной установки.

На модулях смонтированы микросхемы памяти в корпусах SOJ или TSOP, их адресные входы объединены. Количество и тип микросхем определяются требуемой разрядностью и объемом хранимых данных. Архитектура модулей обеспечивает возможность побайтного обращения, что существенно для записи (byte-write); выбор байт производится отдельным входом CAS# для каждого байта. Распространенные модули имеют напряжение питания 5 В, их параметры приведены в табл. 7.7.

Таблица 7.7. Организация модулей SIMM

Емкость, Мбайт С паритетом Без паритета
30-pin 72-pin 30-pin 72-pin
256 Кбайт 256 К?9 - 256 К?8 -
1 1 М?9 256 К?36 1 М?8 256 К?32
2 - 512 К?36 - 512 К?32
4 4 М?9 1 М?36 4 М?8 1 М?32
8 - 2 М?36 - 2 М?32
16 - 4 М?36 - 4 М?32
32 - 8 М?36 - 8 М?32
64 - 16 М?36 - 16 М?32

По логической организации различают односторонние и двусторонние модули. У «односторонних» модулей микросхемы смонтированы на одной (передней) поверхности, у «двусторонних» двойной комплект — два банка — микросхем смонтирован на обеих сторонах платы. Эти названия не совсем точны, но имеют прочные позиции и иностранное происхождение (single side и double side). Часто встречаются модули, у которых на второй стороне смонтировано несколько микросхем, дополняющих набор первой стороны до требуемой разрядности (чаще там размещаются контрольные биты). Такие модули являются логически односторонними. У «истинно двусторонних» на обеих сторонах обычно симметрично расположены одинаковые комплекты микросхем.

«Короткие», или SIMM 30-pin, модули SIMM (старый тип) имеют 30 печатных выводов (рис. 7.11) и однобайтную организацию. Разводка выводов у модулей фирмы IBM (для компьютеров IBM PS/2) отличается от общепринятых стандартных. Различия делают несовместимыми модули с объемом более 1 Мбайт: модули IBM могут быть двусторонними (2 Мбайт), стандартные — только односторонними. Малораспространенные модули SIPP имеют 30 штырьковых выводов и совпадают по разводке со стандартными модулями SIMM 30-pin (SIMM-30). Применение однобайтных модулей особенно в 32-битных системных платах сильно сковывает свободу выбора объема памяти. Назначение выводов SIMM-30 и SIPP приведено в табл. 7.8.


Рис. 7.11. Модули SIMM-30

Таблица 7.8. Назначение выводов модулей SIPP и SIMM 30-pin

Контакт STD IBM Контакт STD? IBM?
1 +5 В +5 В 16 DQ4 DQ4
2 CAS# CAS# 17 МА8 MAS
3 DQ0 DQ0 18 МА9 MA9
4 MA0 MA0 19 MA0 RAS1#
5 MA1 MA1 20 DQ5 DQ5
6 DQ1 DQ1 21 WE# WE#
7 MA2 MA2 22 GND GND
8 MA3 MA3 23 DQ6 DQ6
9 GND GND 24 N.C. PD(GND)
10 DQ2 DQ2 25 DQ7 DQ7
11 MA4 MA4 26 PB-Out PD(1M=GND)
12 MA5 MA5 27 RAS# RAS0#
13 DQ3 DQ3 28 CAS-Parity# N.C.
14 MA6 MA6 29 PB-In PB-(In/Out)
15 MA7 MA7 30 +5B +5B

? STD — стандартный SIMM (SIPP).

? IBM — SIMM фирмы IBM.

«Длинные», или SIMM 72-pin (SIMM-72), модули SIMM имеют 72 печатных вывода (рис. 7.12, табл. 7.9) и 4-байтную организацию с возможностью независимого побайтного обращения по сигналам CASx#. По сигналам выборки строк биты данных делятся на два слова, DQ[0:15] выбираются сигналом RAS0# для первого банка и RAS1# для второго, DQ[16:31] выбираются соответственно сигналом RAS2# и RAS3#. В односторонних модулях (1, 4, 16, 64 Мбайт — 1 банк) используется только одна пара сигналов выборки RAS0# и RAS2#, в двусторонних (2, 8, 32 Мбайт — 2 банка) — две пары сигналов RAS#. Заметим, что использование всеми модулями обеих дар линий RAS# поддерживается не всеми системными платами. Контрольные биты модулей с паритетом по выборке приписываются к соответствующим байтам, в ЕСС-модулях возможны различные варианты. Модули без паритета имеют разрядность 32 бит, с паритетом — 36 бит, модули ЕСС — 36 или 40 бит. Модули ЕСС-36 и ЕСС-40 (ECC-optimised) не допускают побайтного обращения и существенно отличаются от 32-битных и паритетных модулей.


Рис. 7.12. Модули SIMM-72

Таблица 7.9. Назначение выводов модулей SIMM 72-pin

Контакт Назначение для модулей x32, Parity/ECC? Контакт Назначение для модулей x32, Parity/ECC?
1 GND 37 PQ1/DQ19
2 DQ0/DQ0 38 PQ3/DQ20
3 DQ16/DQ1 39 GND
4 DQ1/DQ2 40 CAS0#
5 DQ17/DQ3 41? CAS2#/MA10
6 DQ2/DQ4 42? CAS3#/MA11
7 DQ18/DQ5 43 CAS1#
8 DQ3/DQ6 44 RAS0#
9 DQ19/DQ7 45 RAS1#
10 +5В 46? (OE1#)/DQ21
11? (CAS-Parity#)/PD5 47 WE#
12 MA0 48? Reserved/ECC
13 MA1 49 DQ8/DQ22
14 MA2 50 DQ24/DQ23
15 MA3 51 DQ9/DQ24
16 MA4 52 DQ25/DQ25
17 MA5 53 DQ10/DQ26
18 MA6 54 DQ26/DQ27
19? МА10/ОЕ# 55 DQ11/DQ28
20 DQ4/DQ8 56 DQ27/DQ29
21 DQ20/DQ9 57 DQ12/DQ30
22 DQ5/DQ10 58 DQ28/DQ31
23 DQ21/DQ11 59 +5B
24 DQ6/DQ12 60 DQ29/DQ32
25 DQ22/DQ13 61 DQ13/DQ33
26 DQ7/DQ14 62 DQ30/DQ34
27 DQ23/DQ15 63 DQ14/DQ35
28 MA7 64? DQ31/DQ36
29? MA11(OE0#)/DQ16 65? DQ15/DQ37
30 +5В 66? (OE2#)/DQ38
31 МА8 67 PD1
32 МА9 68 PD2
33? RAS3#/NC 69 PD3
34? RAS2#/NC 70 PD4
35 PQ2/DQ17 71? (OE3#)/DQ39
36 PQ0/DQ18 72 GND

? Модули ECC различных производителей могут отличаться по назначению выводов. Некоторые модули по выводам совпадают с паритетными, но могут различаться по связям контрольных бит с сигналами RASx# и CASx#.

? Могут существенно отличаться по назначению у модулей ЕСС. Сигналы DQ[36:39] имеются только в модулях ЕСС-40. В скобках приведены назначения выводов модулей фирмы IBM.

Сигналы модулей SIMM (табл. 7.10) в основном совпадают с сигналами микросхем динамической памяти. Для идентификации модулей предназначены сигналы PD[1:5]. По заземленным (на модуле) сигналам системная плата может распознать быстродействие (тип) и объем установленной памяти. Стандарт JEDEC для SIMM-72 определяет следующее назначение выводов (0 — заземлен, 1 — свободен):

? сигналы PD[1:2] (контакты 67, 68) — объем памяти модуля, Мбайт: 00=4, 11=8, 01=16, 10=32;

? сигналы PD[3:4] (контакты 69, 70) — время доступа, нс: 00=100, 10=80, 01=70, 11=60;

? сигнал PD5 может являться признаком ECC-модуля (заземленный контакт).

Таблица 7.10. Сигналы модулей SIMM

Сигнал Назначение
MAi Multiplexed Address — мультиплексированные линии адреса. Во время спада сигнала RAS# на этих линиях присутствует адрес строки, во время спада CAS# — адрес столбца. Модули SIMM объемом 16 Мбайт могут быть с симметричной (square — квадратной) организацией — 11 бит адреса строк и 11 бит адреса колонок или асимметричной — 12?10 бит соответственно
DQx Data Bit — биты данных (объединенные входы и выходы)
PQx Parity Bit — бит паритета x-го байта
PB-In, PB-Out Parity Bit Input, Output — вход и выход микросхемы бита паритета (для SIPP PB-Out и SIMM-30). Для хранения паритета в этих модулях всегда используются микросхемы с однобитной организацией, у которых вход и выход разделен. Обычно эти контакты на модуле соединены
WE# Write Enable — разрешение записи. При низком уровне сигнала во время спада CAS# выполняется запись в ячейку. Переход WE# в низкий уровень и обратно при высоком уровне CAS# переводит выходной буфер EDO DRAM в высокоимпедансное состояние
RASx# Стробы выборки строк. Сигналы RAS0# и RAS1# используются соответственно для бит [0:15] и [16:31] первого банка, RAS1# и RAS3# — для бит [0:15] и [16:31] второго банка
CASx# Стробы выборки столбцов, отдельные для каждого байта: CAS0# — DQ[0:7], PQ0; CAS1# — DQ[8:15], PQ1; CAS2# — DQ[16:23], PQ2; CAS3# — DQ[24:31], PQ3. В ECC-модулях возможно обращение только ко всему модулю по сигналам CAS0# и CAS1#
CAS-Parity# Строб выборки столбцов для контрольных разрядов (редко используемый вариант)
OEx# Output Enable — разрешение открытия выходного буфера. Эти выводы на системной плате обычно соединяются с логическим нулем, а для управления буфером используются сигналы RAS#, CAS# и WE#. На некоторых модулях SIMM могут отсутствовать
PD[1:5] Presence Detect — индикаторы присутствия (обычно не используются)
N.C. No Connection — свободный вывод

Модули DIMM-168 и DIMM-184

Модуль памяти DIMM-168 (Dual-In-line-Memory Module) имеет 168 независимых печатных выводов, расположенных с обеих сторон (контакты 1-84 — с фронтальной стороны, 85-168 — с тыльной). Разрядность шины данных — 8 байт, организация рассчитана на применение в компьютерах с четырех- и восьмибайтной шиной данных. Конструкция и интерфейс модулей соответствует стандарту JEDEC 21-C. Модули устанавливаются на плату вертикально в специальные разъемы (слоты) с ключевыми перегородками, задающими допустимое питающее напряжение и тип (поколение) применимых модулей. Модули выпускаются для напряжения питания 3,3 и 5 В. Вид модулей и сочетания ключей представлены на рис. 7.13. Толщина модулей с микросхемами в корпусах SOJ не превышает 9 мм, в корпусах TSOP — 4 мм.


Рис. 7.13. Модули DIMM: а — вид модуля DIMM-168, б — ключи для модулей первого поколения, в — ключи для модулей второго поколения, г — вид модуля DIMM-184

По внутренней архитектуре модули близки к SIMM-72, но имеют удвоенную разрядность и, соответственно, удвоенное количество линий CAS#. Также удвоено число сигналов разрешения записи и разрешения выходных буферов, что позволяет организовывать модули в виде двух 4-байтных банков с возможностью их чередования (Bank Interleaving). Модули могут иметь разрядность 64, 72 или 80 бит, дополнительные разряды 72-битных модулей организуются либо по схеме контроля паритета (приписываясь к соответствующим байтам), либо по схеме ЕСС; 80-битные — только по схеме ЕСС.

Модули DIMM первого поколения (по IBM) были ориентированы на асинхронную память (FPM, EDO и BEDO); по архитектуре они напоминают SIMM-72. В модулях применяется параллельная идентификация — параметры быстродействия и объема передаются через 8 буферизованных выводов идентификации (Presence Detect pins). Модули первого поколения не получили широкого распространения, поскольку не принесли принципиальных новшеств в подсистему памяти.

Модули второго поколения отличаются тем, что позволяют использовать микросхемы как асинхронной (FPM и EDO), так и синхронной динамической памяти (SDRAM). Внешне они похожи на модули первого поколения, но отличаются ключом, не допускающим ошибочную установку. Унифицированное назначение выводов позволяет в одни и те же слоты устанавливать как модули DRAM; так и SDRAM. Нумерация бит данных единая для всех типов организации — контрольные биты CBx имеют отдельную нумерацию, их наличие зависит от организации (паритет, ЕСС-72, ЕСС-80).

Модули с любой организацией используют побайтное распределение информационных бит по сигналам CASx# (табл. 7.11), распределение контрольных бит представлено в табл. 7.12. Младший бит адреса приходит по одной линии на все микросхемы модуля. Сигналы управления модулей SDRAM значительно отличаются от модулей DRAM. Исполняемая операция SDRAM определяется сигналами RAS#, CAS# и WE#, синхронизируемыми по фронту соответствующих сигналов CKx. Назначение сигналов модулей приведено в табл. 7.13, назначение выводов модулей DRAM — в табл. 7.14, SDRAM — в табл. 7.15.

Таблица 7.11. Организация информационных и управляющих сигналов для модулей DIMM-168 второго поколения

Линии CAS# (DQMB для SDRAM) 0 1 2 3 4 5 6 7
Биты данных 0-7 8-15 16-23 24-31 32-39 40-47 48-55 56-63
Сигналы для банка 0 DRAM OE0#, WE0#, RAS0# ОЕ2#, WE2#, RAS2#
Сигналы для банка 1 DRAM OE0#, WE0#, RAS1# ОЕ2#, WE2#, RAS3#
Сигналы для банка 0 SDRAM CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0 CKE0
S0# S0# S2# S2# S0# S0# S2# S2#
CK0 CK1 CK2 CK3 CK0 CK1 CK2 CK3
Сигналы для банка 1 SDRAM CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1 CKE1
S1# S1# S3# S3# S1# S1# S3# S3#
CK0 CK1 CK2 CK3 CK0 CK1 CK2 CK3

Таблица 7.12. Связь контрольных бит с управляющими сигналами для модулей DIMM-168 второго поколения

Организация (разрядность микросхем DRAM) Линии CAS# (DQMB для SDRAM)
0 1 2 3 4 5 6 7
  Контрольные биты
72-бит Parity 0 1 2 3 4 5 6 7
72-бит ЕСС, (x4 x16/x4) - 0-3 - - - 4-7 - -
72-бит ЕСС, (x8) - 0-7 - - - - - -
72-бит ЕСС, (x18) 0 1 2 3 4 5 6 7
80-бит ЕСС, (x4) - 0-3 8-11 - - 4-7 12-15 1
80-бит ЕСС, (x8, х16) - 0-7 - - - 8-15 - -

Таблица 7.13. Сигналы модулей DIMM-168 второго поколения и DIMM-184

Сигнал Назначение
Общие сигналы для FPM, EDO, BEDO и SDRAM
RAS[0:3]#, RAS# Row Address Strobe — стробы выборки строк
CAS[0:7]# CAS# Column Address Strobe — стробы выборки столбцов
WE0#, WE2# Read/Write Input — сигналы разрешения записи, раздельные для банков
OE0#, OE2# Output Enable — сигналы разрешения выходных буферов, раздельные для банков
A[0:13] Address Inputs — мультиплексированная шина адреса
DQ[0:63] Data Input/Output — биты данных
CB[0:15] Check Bit Data Input/Output — контрольные биты, отсутствуют в 64-битных модулях. В 72-битных модулях отсутствуют CB[8:15]
SCL Serial Presence Detect Clock синхронизация интерфейса идентификации I?C
SDA Serial Presence Detect Data — данные интерфейса идентификации I?C
SA[0:2] Serial Presence Detect Address — адрес модуля в интерфейсе I?C, задается коммутацией выводов гнезд для модулей на уровни логических «0» и «1»
WP Write Protect — защита записи в EEPROM
VCC Power — питание (+5 или +3,3 В)
VSS Ground — общий провод
NC No Connect — неиспользуемый (свободный) контакт
DU Don't Use — запрещенный к использованию контакт
Специфические сигналы SDRAM
DQMB0-DQMB7 Data Mash Byte — маски байт (синхронизируются по фронту CK). Высокий уровень во время операции чтения переводит выходные буферы соответствующего байта в высокоимпедансное состояние с задержкой на 2 такта, операция записи блокируется без задержки
S0#, S1#, S2#, S3# Select — разрешение (низким уровнем) декодирования команд микросхемами SDRAM соответствующих банков. При высоком уровне новые команды игнорируются, но выполнение предыдущей не прерывается
CK[0:3] Clock Inputs — тактовые импульсы системной шины, положительный перепад синхронизируют все входные сигналы (кроме CKE)
CKE0, CKE1 Clock Enables — разрешение синхронизации (высокий уровень) для банков микросхем. Низкий уровень переводит в режим пониженного потребления или саморегенерации
A[0:9], А[11:13] A10/АР Address Inputs, Address Input 10/Autoprecharge — в цикле команды активации банка А[0:13] определяют адрес строки (по подъему CK). В цикле команды чтения или записи А[0:8] определяют адрес столбца, АР используется для указания (высоким уровнем) на операцию автопредзаряда (autoprecharge) банка А (BA0=0) или В (BA1=1) по окончании текущего пакетного цикла. В цикле команды предзаряда при высоком уровне АР предзаряд осуществляется в обоих банках, при низком — только в банке, определяемом линией BA0
BA0, BA1 SDRAM Bank Address — выбор внутреннего банка микросхемы SDRAM (использует линии, назначенные на адреса А11, A12 модулей DRAM)
REGE Register Enable — разрешение синхронной работы регистров управляющих и адресных сигналов. При высоком уровне регистр защелкивает сигналы по фронту CK, а микросхемы памяти зафиксируют эти значения в следующем такте. При низком уровне регистр работает в режиме буфера (допустимо лишь для 66 МГц)
Дополнительные сигналы модулей DOR SDRAM
DQS[0:17] Двунаправленные стробы данных, формируемые источником
CK# Инверсный вход синхронизации (пара к CK)
VREF Вход опорного напряжения интерфейса SSTL_2
RESET# Вход асинхронного сброса регистра
VDDQ Питание выходных буферов микросхем
VDD Питание ядра микросхем
VDDSPD Питание микросхемы последовательной идентификации
VDDID Вход VDD identification flag

Таблица 7.14. Назначение выводов DIMM-168 DRAM второго поколения

Контакт Цепь Контакт Цепь Контакт Цепь Контакт Цепь
1 VSS 85 VSS 43 VSS 127 VSS
2 DQ0 86 DQ32 44 OE2# 128 DU
3 DQ1 87 DQ33 45 RAS2# 129 RAS3#
4 DQ2 88 DQ34 46 CAS2# 130 CAS6#
5 DQ3 89 DQ35 47 CAS3# 131 CAS7#
6 VCC 90 VCC 48 WE2# 132 DU
7 DQ4 91 DQ36 49 VCC 133 VCC
8 DQ5 92 DQ37 50 CB10 134 CB14
9 DQ6 93 DQ38 51 CB11 135 CB15
10 DQ7 94 DQ39 52 CB2 136 CB6
11 DQ8 95 DQ40 53 CB3 137 CB7
12 VSS 96 VSS 54 VSS 138 VSS
13 DQ9 97 DQ41 55 DQ16 139 DQ48
14 DQ10 98 DQ42 56 DQ17 140 DQ49
15 DQ11 99 DQ43 57 DQ18 141 DQ50
16 DQ12 100 DQ44 58 DQ19 142 DQ51
17 DQ13 101 DQ45 59 VCC 143 VCC
18 VCC 102 VCC 60 DQ20 144 DQ52
19 DQ14 103 DQ46 61 NC? 145 NC?
20 DQ15 104 DQ47 62 DU 146 DU
21 СВ0 105 CB4 63 NC 147 NC
22 CB1 106 CB5 64 VSS 148 VSS
23 VSS 107 VSS 65 DQ21 149 DQ53
24 CB8 108 CB12 66 DQ22 150 DQ54
25 CB9 109 CB13 67 DQ23 151 DQ55
26 VCC 110 VCC 68 VSS 152 VSS
27 WE0# 111 DU 69 DQ24 153 DQ56
28 CAS0# 112 CAS4# 70 DQ25 154 DQ57
29 CAS1# 113 CAS5# 71 DQ26 155 DQ58
30 RAS0# 114 RAS1# 72 DQ27 156 DQ59
31 OE0# 115 DU 73 VCC 157 VCC
32 VSS 116 VSS 74 DQ28 158 DQ60
33 А0 117 A1 75 DQ29 159 DQ61
34 A2 118 A3 76 DQ30 160 DQ62
35 A4 119 A5 77 DQ31 161 DQ63
36 A6 120 A7 78 VSS 162 VSS
37 A8 121 A9 79 NC 163 NC
38 A10 122 A11 80 NC 164 NC
39 A12 123 A13 81 NC 165 SA0
40 VCC 124 VCC 82 SDA 166 SA1
41 VCC 125 DU 83 SCL 167 SA2
42 DU 126 DU 84 VCC 168 VCC

Таблица 7.15. Назначение выводов DIMM-168 SDRAM

Контакт Цепь Контакт Цепь Контакт Цепь Контакт Цепь
1 VSS 85 VSS 43 VSS 127 VSS
2 DQ0 86 DQ32 44 DU? 128 CKE0
3 DQ1 87 DQ33 45 S2# 129 S3#
4 DQ2 88 DQ34 46 DQMB2 130 DQMB6
5 DQ3 89 DQ35 47 DQMB3 131 DQMB7
6 VCC 90 VCC 48 DU? 132 A13
7 DQ4 91 DQ36 49 VCC 133 VCC
8 DQ5 92 DQ37 50 CB10 134 CB14
9 DQ6 93 DQ38 51 CB11 135 CB15
10 DQ7 94 DQ39 52 CB2 136 CB6
11 DQ8 95 DQ40 53 CB3 137 CB7
12 VSS 96 VSS 54 VSS 138 VSS
13 DQ9 97 DQ41 55 DQ16 139 DQ48
14 DQ10 98 DQ42 56 DQ17 140 DQ49
15 DQ11 99 DQ43 57 DQ18 141 DQ50
16 DQ12 100 DQ44 58 DQ19 142 DQ51
17 DQ13 101 DQ45 59 VCC 143 VCC
18 VCC 102 VCC 60 DQ20 144 DQ52
19 DQ14 103 DQ46 61 NC? 145 NC?
20 DQ15 104 DQ47 62 Vref 146 Vref
21 СВ0 105 CB4 63 CKE1 147 REGE
22 CB1 106 CB5 64 VSS 148 VSS
23 VSS 107 VSS 65 DQ21 149 DQ53
24 CB8 108 CB12 66 DQ22 150 DQ54
25 CB9 109 CB13 67 DQ23 151 DQ55
26 VCC 110 VCC 68 VSS 152 VSS
27 WE# 111 CAS# 69 DQ24 153 DQ56
28 DQMB0 112 DQMB4 70 DQ25 154 DQ57
29 DQMB1 113 DQMB5 71 DQ26 155 DQ58
30 S0# 114 S1# 72 DQ27 156 DQ59
31 DU? 115 RAS# 73 VCC 157 VCC
32 VSS 116 VSS 74 DQ28 158 DQ60
33 А0 117 A1 75 DQ29 159 DQ61
34 A2 118 A3 76 DQ30 160 DQ62
35 A4 119 AS 77 DQ31 161 DQ63
36 A6 120 A7 78 VSS 162 VSS
37 AS 121 A9 79 CK2 163 CK3
38 A10(AP) 122 BA0 80 NC? 164 NC?
39 BA1 123 A11 81 WP 165 SA0
40 VCC 124 VCC 82 SDA 166 SA1
41 VCC 125 CK1 83 SCL 167 SA2
42 CK0 126 A12 84 VCC 168 VCC

? NC — не подключен

? DU — не использовать!

В модулях SDRAM вместо раздельных сигналов RAS[0:3]# для выбора банков (рядов микросхем) используются сигналы S0#, S1#, S2# и S3#; вместо CAS[0:7]# для выбора байтов — сигналы DQMB0-DQMB7; сигналы WE2#, OE0# и ОЕ2# не используются.

В модулях, начиная со второго поколения, применена последовательная идентификация параметров на двухпроводном интерфейсе (I?C) для чтения атрибутов (идентификации) из специальной конфигурационной памяти (обычно EEPROM 24С02), установленной на модулях.

168-pin Unbuffered DIMM — модули, у которых все цепи не буферизованы (одноименные адресные и управляющие сигналы микросхем соединены параллельно и заводятся прямо с контактов модуля). Эти модули сильнее нагружают шину памяти, но позволяют добиться максимального быстродействия. Они предназначены для системных плат с небольшим (1–4) количеством слотов DIMM или имеющих шину памяти, буферизованную на плате. Модули выполняются на микросхемах DRAM или SDRAM. Высота модулей не превышает 51 мм. Объем 8–512 Мбайт.

168-pin Registered DIMM — модули синхронной памяти (SDRAM), у которых адресные и управляющие сигналы буферизованы регистрами, синхронизируемыми тактовыми импульсами системной шины. По виду этот тип DIMM легко отличим — кроме микросхем памяти и EEPROM на них установлено несколько микросхем регистров-защелок. За счет регистров эти модули меньше нагружают шину памяти, что позволяет набирать больший объем памяти. Применение регистров повышает точность синхронизации и, следовательно, — тактовую частоту. Однако регистр вносит дополнительный такт задержки. Кроме того, на модулях может быть установлена микросхема ФАПЧ (PLL), формирующая тактовые сигналы для микросхем памяти и регистров-защелок. Это делается для разгрузки линий синхронизации, причем в отличие от обычной буферизации сигнала, вводящей задержку между входом и выходом, схема PLL обеспечивает синфазность выходных сигналов (их на выходе PLL несколько, каждый для своей группы микросхем) с опорным сигналом (линия CK0). Модули на 64 Мбайт могут быть и без схем PLL — в них линии CK[0:3] разводятся прямо на свои группы микросхем памяти. Регистры могут быть переведены в режим асинхронных буферов (только на 66 МГц), для чего на вход REGE нужно подать низкий уровень. Для модулей на 66 МГц возможна замена регистров асинхронными буферами.

Модули DIMM-184 предназначены для микросхем DDR SDRAM. По габаритам они аналогичны модулям DIMM-168, но у них имеются дополнительные вырезы по бокам (см. рис. 7.13, г) и отсутствует левый ключ. Разрядность — 64 или 72 бит (ЕСС), имеются варианты с регистрами в адресных и управляющих цепях (Registered DDR SDRAM) и без них. Напряжение питания — 2,5 В. Идентификация последовательная. Состав сигналов в основном повторяет набор для DIMM SDRAM, назначение выводов приведено табл. 7.16. Модули отличаются большим количеством стробирующих сигналов DQSx — по линии на каждые 4 бита данных (DQS8 и DQS17 используются для стробирования контрольных битов). Вход тактовой частоты только один, но дифференциальный — раздачу сигналов по микросхемам памяти и регистрам осуществляет микросхема DLL.

Таблица 7.16. Назначение выводов DIMM-184 DDR SDRAM

Контакт Цепь Контакт Цепь Контакт Цепь Контакт Цепь
1 VREF 47 DQS8 93 VSS 139 VSS
2 DQ0 48 АО 94 DQ4 140 DQS17
3 VSS 49 CB2 95 DQ5 141 A10
4 DQ1 50 VSS 96 VDDQ 142 CB6
5 DQS0 51 CB3 97 DQS9 143 VDDQ
6 DQ2 52 BA1 98 DQ6 144 CB7
7 VDD 53 DQ32 99 DQ7 145 VSS
8 DQ3 54 VDDQ 100 VSS 146 DQ36
9 NC 55 DQ33 101 NC 147 DQ37
10 RESET# 56 DQS4 102 NC 148 VDD
11 VSS 57 DQ34 103 A13 149 DQS13
12 DQ8 58 VSS 104 VDDQ 150 DQ38
13 DQ9 59 BA0 105 DQ12 151 DQ39
14 DQS1 60 DQ35 106 DQ13 152 VSS
15 VDDQ 61 DQ40 107 DQS10 153 DQ44
16 DU 62 VDDQ 108 VDD 154 RAS#
17 DU 63 WE# 109 DQ14 155 DQ45
18 VSS 64 DQ41 110 DQ15 156 VDDQ
19 DQ10 65 CAS# 111 CKE1 157 S0#
20 DQ11 66 VSS 112 VDDQ 158 S1#
21 CKE0 67 DQS5 113 BA2 159 DQS14
22 VDDQ 68 DQ42 114 DQ20 160 VSS
23 DQ16 69 DQ43 115 A12 161 DQ46
24 DQ17 70 VDD 116 VSS 162 DQ47
25 DQS2 71 DU 117 DQ21 163 DU
26 VSS 72 DQ48 118 A11 164 VDDQ
27 A9 73 DQ49 119 DQS11 165 DQ52
28 DQ18 74 VSS 120 VDD 166 DQ53
29 A7 75 DU 121 DQ22 167 FETEN
30 VDDQ 76 DU 122 A8 168 VDD
31 DQ19 77 VDDQ 123 DQ23 169 DQS15
32 A5 78 DQS6 124 VSS 170 DQ54
33 DQ24 79 DQS0 125 A6 171 DQ55
34 VSS 80 DQ51 126 DQ28 172 VDDQ
35 DQ25 81 VSS 127 DQ29 173 NC
36 DQS3 82 VDDID 128 VDDQ 174 DQ60
37 A4 83 DQ56 129 DQS12 175 DQ61
38 VDD 84 DQ57 130 A3 176 VSS
39 DQ26 85 VDD 131 DQS0 177 DOS16
40 DQ27 86 DQS7 132 VSS 178 DQ62
41 A2 87 DQ58 133 DQ31 179 DQ63
42 VSS 88 DQ59 134 CB4 180 VDDQ
43 A1 89 VSS 135 CB5 181 SA0
44 CB0 90 WP 136 VDDQ 182 SA1
45 CB1 91 SDA 137 CK0 183 SA2
46 VDD 92 SCL 138 CK0# 184 VDDSPD

Модули RIMM

Модули RIMM (Rambus Interface Memory Module), no форме похожие на обычные модули памяти (рис. 7.14), специально предназначены для памяти RDRAM. У них 30-проводная шина проходит вдоль модуля слева направо, и на эту шину без ответвлений напаиваются микросхемы RDRAM в корпусах BGA. Сигналы интерфейса модуля (табл. 7.17) соответствуют сигналам канала Rambus, но в их названии имеется еще приставка L (Left) и R (Right) для левого и правого вывода шины соответственно. Модуль RIMM содержит до 16 микросхем RDRAM, которые всеми выводами (кроме двух) соединяются параллельно. Микросхемы памяти закрыты пластиной радиатора. В отличие от SIMM и DIMM, у которых объем памяти кратен степени числа 2, модули RIMM могут иметь более равномерный ряд объемов — в канал RDRAM память можно добавлять хоть по одной микросхеме.


Рис. 7.14. Модули RIMM

Таблица 7.17. Назначение выводов RIMM

Контакт Цепь Тип Назначение
116, 32 SIO0, SIO1 I/O CMOS Serial I/O — последовательные данные обмена с управляющими регистрами
34, 35, 42, 51, 53, 118, 119, 126, 135, 137 VDD   Питание +2,5 В
1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, 15, 17, 19, 21, 23, 25, 27, 29, 31, 33, 37, 38, 39, 41, 45, 48, 49, 52, 54, 56, 53, 60, 62, 64, 66, 68, 70, 72, 74, 76, 78, 80, 82, 84, 85, 87, 89, 91, 93, 95, 97, 99, 101, 103, 105, 107, 109, 111, 113, 115, 117, 121, 123, 125, 129, 132, 133, 138, 140, 142, 144, 146, 148, 150, 152, 154, 156, 158, 160, 162, 164, 166, 168 GND   Общий
2, 86, 4, 88, 6, 90, 8, 92, 10 LDQA8…LDQA0 I/O RSL Шина данных A
94 LCFM I RSL Синхронизация (+) от ведущего устройства (для приема данных)
96 LCFMN I RSL Синхронизация (-) от ведущего устройства (для приема данных)
40, 12 VREF   Пороговый уровень сигналов RSL (1,8 В)
12 LCTMN I RSL Синхронизация (-) к ведущему устройству (для передачи данных)
14 LCTM I RSL Синхронизация (+) к ведущему устройству (для передачи данных)
98, 16, 100 LROW2…LROW0 I RSL Шина строк (для управляющей и адресной информации)
18, 102, 20, 104, 22 LCOL4…LCOL0 I RSL Шина столбцов (для управляющей и адресной информации)
114, 30, 112, 28, 110, 26, 108, 24, 106 LOQB8…LOQB0 I/O RSL Шина данных В
120 LCMD I CMOS Последовательные команды (для обмена с управляющими регистрами). Используется и для управления энергопотреблением
36 LSCK I CMOS Синхронизация последовательных команд и данных (для обмена с управляющими регистрами)
83, 167, 81, 165, 79, RDQA8…RDQA0 I/O RSL Шина данных А
159 RCFM I RSL Синхронизация (+) от ведущего устройства (для приема данных)
157 RCFMN I RSL Синхронизация (-) от ведущего устройства (для приема данных)
73 RCTMN I RSL Синхронизация (-) к ведущему устройству (для передачи данных)
71 RCTM I RSL Синхронизация (+) к ведущему устройству (для передачи данных)
155, 69, 153 RROW2…RROW0 I RSL Шина строк (для управляющей и адресной информации)
67, 151, 65, 148, 63 RCOL4…RCOL0 I RSL Шина столбцов (для управляющей и адресной информации)
139, 55, 141, 57, 143, 59, 145, 61, 147 RDQB8…RDQB0 I/O RSL Шина данных В
134 RCMD I CMOS Последовательные команды (для обмена с управляющими регистрами). Используется и для управления энергопотреблением
50 RSCK I CMOS Синхронизация последовательных команд и данных (для обмена с управляющими регистрами)
46 SCL I CMOS Синхронизация последовательной идентификации
47 SDA I/O CMOS Данные последовательной идентификации
131, 130 SA1, SA0 I CMOS Адрес последовательной идентификации
43, 44, 127, 128 VT   Питание терминаторов (1,4 В)

Модули SO DIMM-72 pin

72 pin SO DIMM (Small-Outline-Dual-Inline-Memory Module) — малогабаритный (длина 2,35" — 60 мм) модуль с двусторонним 72-контактным разъемом, нечетные контакты расположены с фронтальной стороны, четные — с тыльной (рис. 7.15, табл. 7.18 и 7.19). Модули комплектуются микросхемами DRAM в корпусах TSOP, емкость 2-32 Мбайт, разрядность данных — 32 или 36 бит (с контролем паритета). 36-битные модули отличаются только наличием дополнительных бит PQx. Память организована в виде двух двухбайтных слов с возможностью побайтного обращения и предназначена для двух- и четырехбайтных применений. Информация об объеме, организации, адресации, быстродействии и регенерации передается через семь линий параллельной идентификации:

? PD7 — регенерация: 1=стандартная, 0=расширенная или саморегенерация;

? PD6, PD5 — время доступа: 00=50 нс, 10=70 нс, 11=60 нс;

? PD[4:1] — организация.


Рис. 7.15. Модули SO DIMM-72 pin

Таблица 7.18. Организация информационных и управляющих сигналов модулей SO DIMM-72

Линии CAS# CAS0# CAS1# CAS2# CAS3#
Биты данных и паритета DQ[0:7], PQ8 DQ[9:15], PQ17 DQ[18:25], PQ26 DQ[27:34], PQ35
Выбор банка 0 RAS0# RAS2#    
Выбор банка 1 RAS1# RAS3#    

Таблица 7.19 Назначение выводов SO DIMM-72 pin

Контакт Цепь Контакт Цепь
1 VSS 2 DQ0
3 DQ1 4 DQ2
5 DQ3 6 DQ4
7 DQ5 8 DQ6
9 DQ7 10 VCC
11 PD1 12 A0
13 A1 14 A2
15 A3 16 A4
17 A5 18 A6
19 А10 20? PQ8
21 DQ9 22 DQ10
23 DQ11 24 DQ12
25 DQ13 26 DQ14
27 DQ15 28 A7
29 А11 30 VCC
31 А8 32 A9
33 RAS3# 34 RAS2#
35 DQ16 36? PQ17
37 DQ18 38 DQ19
39 VSS 40 CAS0#
41 CAS2# 42 CAS3#
43 CAS1# 44 RAS0#
45 RAS1# 46 A12
47 WE# 48 A13
49 DQ20 50 DQ21
51 DQ22 52 DQ23
53 DQ24 54 DQ25
55? PQ26 56 DQ27
57 DQ28 58 DQ29
59 DQ31 60 DQ30
61 VCC 62 DQ32
63 DQ33 64 DQ34
65? PQ35 66 PD2
67 PD3 68 PD4
69 PD5 70 PD6
71 PD7 72 VSS

? У 37-битных модулей контакт свободен

Модули SO DIMM-144 pin

Модуль 144 pin SO DIMM — малогабаритный модуль (длина 2,35" — 60 мм) с двусторонним 144-контактным разъемом (рис. 7.16, табл. 7.20), емкость 8-64 Мбайт, разрядность данных — 64 или 72 бит ЕСС. Модули обеспечивают побайтное обращение по сигналам CAS[0:7]#, сигнал RAS0# выбирает банк 0, сигнал RAS1# — банк 1 (при его наличии). Напряжение питания — 5 или 3,3 В, механический ключ напряжения питания расположен между контактами 59–60 и 61–62. Нечетные контакты находятся с фронтальной стороны, четные — с тыльной. Идентификация последовательная. Модули могут содержать микросхемы как DRAM, так и SDRAM, объем 8-256 Мбайт.


Рис. 7.16. Модули SO DIMM-144 pin

Таблица 7.20. Назначение выводов модулей SO DIMM-144 pin

Контакт Цепь? Контакт Цепь? Контакт Цепь? Контакт Цепь?
1 VSS 2 VSS 71 RAS1# 72 NC
3 DQ0 4 DQ32 73 OE 74 NC
5 DQ1 6 DQ33 75 VSS 76 VSS
7 DQ2 8 DQ34 77 CB2 78 CB6
9 DQ3 10 DQ35 79 CB3 80 CB7
11 VCC 12 VCC 81 VCC 82 VCC
13 DQ4 14 DQ36 83 DQ16 84 DQ48
15 DQ5 16 DQ37 85 DQ17 86 DQ49
17 DQ6 18 DQ38 87 DQ18 88 DQ50
19 DQ7 20 DQ39 89 DQ19 90 DQ51
21 VSS 22 VSS 91 VSS 92 VSS
23 CAS0#/DQMB0 24 CAS4#/DQMB4 93 DQ20 94 DQ52
25 CAS1#/DQMB1 26 CAS5#/DQMB5 95 DQ21 96 DQ53
27 VCC 28 VCC 97 DQ22 98 DQ54
29 А0 30 A3 99 DQ23 100 DQ55
31 A1 32 A4 101 VCC 102 VCC
33 A2 34 A5 103 A6 104 A7
35 VSS 36 VSS 105 A8 106 A11
37 DQ8 38 DQ40 107 VSS 108 VSS
39 DQ9 40 DQ41 109 A9 110 A12
41 DQ10 42 DQ42 111 A10 112 A13
43 DQ11 44 DQ43 113 VCC 114 VCC
45 VCC 46 VCC 115 CAS2#/DQMB1 116 CAS6#/DQMB6
47 DQ12 48 DQ44 117 CAS3#/DQMB3 118 CAS7#/DQMB7
49 DQ13 50 DQ45 119 VSS 120 VSS
51 DQ14 52 DQ46 121 DQ24 122 DQ56
53 DQ15 54 DQ47 123 DQ25 124 DQ57
55 VSS 56 VSS 125 DQ26 126 DQ58
57 CB0 58 CB4 127 DQ27 128 DQ59
59 CB1 60 CB5 129 VCC 130 VCC
Ключ напряжения питания 131 DQ28 132 DQ60
Ключ напряжения питания 133 DQ29 134 DQ61
61 DU/CLK0 62 DU/CKE0 135 DQ30 136 DQ62
63 VCC 64 VCC 137 DQ31 138 DQ63
65 DU/RAS# 66 DU/CAS# 139 VSS 140 VSS
67 WE# 68 NC/CKE1 141 SDA 142 SCL
69 RAS0#/S0# 70 NC/A12 143 VCC 144 VCC

? DRAM/SDRAM

Модули DRAM cards-88 pin

Модули 88 pin DRAM cards — миниатюрные модули (3,37"?2,13"?0,13" — 85,5?54?3,3 мм) В пластиковом корпусе размером с карту PCMCIA (PC Card). Имеют 88-контактный разъем (не PCMCIA!), разрядность 18, 32 или 36 бит, емкость 2-36 Мбайт. Комплектуются микросхемами DRAM в корпусах TSOP. Информация о быстродействии и объеме передается по восьми выводам. Внутренняя архитектура близка к SIMM-72. Напряжение питания — 5 или 3,3 В. Применяются в малогабаритных компьютерах, легко устанавливаются и снимаются.

Оглавление книги


Генерация: 1.077. Запросов К БД/Cache: 3 / 1
поделиться
Вверх Вниз