Книга: Устранение неисправностей и ремонт ПК своими руками на 100%

Характеристики модулей памяти

Характеристики модулей памяти

За время развития ПК было произведено много разных типов модулей памяти.

Каждый из них подходит к строго определенному классу МП.

В конкретную МП конструктивно и по внутренней архитектуре следует подобрать соответствующие модули.

Не всегда в МП можно установить модули, которые подходят в данный тип разъема. Возможно, потребуется перепрошить BIOS или даже заменить МП, которая не поддерживает выбранный тип памяти.

Данные могут передаваться с большей частотой, чем тактовая частота модуля памяти. Так, например, если тактовая частота ОЗУ – 100 МГц, то данные могут передаваться с частотой 400 МГц. Если используется двухканальный режим работы оперативной памяти, то в итоге рабочая частота возрастает до 800 МГц.

С помощью буферизации данных повышается производительность модулей памяти.

Специальная микросхема хранит данные для сокращения времени чтения-записи из ОЗУ.

Существуют модули оперативной памяти с коррекцией ошибок. Это технология ECC (Error Checking and Correction). В модуль добавляется еще одна микросхема. Байт данных сопровождается дополнительным битом, с помощью которого осуществляется контроль четности в байте. В современных модулях используется технология, позволяющая исправить одиночную ошибку; если выявляется вторая ошибка, то подается сигнал. Подобные модули применяются в системах, для которых важна высокая отказоустойчивость.

Для ноутбуков применяются специальные модули оперативной памяти – SO-DIMM (Small Out-line DIMM). Число контактов у них отличается от модулей для настольных ПК.

Процесс чтения-записи в динамической памяти состоит из нескольких операций. Вначале система определяет адрес нужной ячейки, где хранятся данные. Через определенный промежуток времени выбирается соответствующая ячейка памяти. Затем из нее считывается информация либо она в нее записывается. После этого ячейка переключается в ждущий режим. Каждый этап процесса распределен во времени. Для оперативной динамической памяти указывается цифровая последовательность, называемая таймингом.

В этой последовательности цифр каждая из них соответствует числу тактов шины, которые отмеряют временной промежуток выполнения какой-либо операции. Таким образом, каждый модуль памяти имеет свой временной параметр выполнения операции записи-считывания – тайминг. У каждого производителя модули имеют свои значения тайминга – задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.

Пространство памяти можно представить в виде ячеек, которые состоят из строк и столбцов.

Для обращения к ячейке контроллер задаёт номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца, на все запросы тратится время, помимо этого довольно большая затрата уходит на открытие и закрытие банка после самой операции чтения-записи. На каждое действие требуется время, оно и называется таймингом.

Некоторые из таймингов недоступны для настройки в BIOS – время доступа CS# (crystal select), этот сигнал определяет кристалл (чип) на модуле, и данный параметр не может регулироваться.

Временные задержки обозначаются следующим образом:

CAS Latency – CL – задержка между выбором и чтением ряда, задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.

RAS to CAS – Row to Column Delay – TRCD – выбор ряда. Это задержка между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), данный параметр характеризует интервал между доступами к шине контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.

Row Precharge Delay (RAS Precharge Delay) tRP/tRCP – деактивация ряда.

Row Activate Delay (RAS Active Delay, time to ready) – tRA/tRD/tRAS – число циклов чтения.

Command Rate – CMD Rate – задержка адресации.

Burst Length – это параметр, который устанавливает размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше его размер, тем выше производительность памяти.

Оглавление книги