Книга: Схемотехника аналоговых электронных устройств

2.4.2. Полевые транзисторы

2.4.2. Полевые транзисторы

Полевыми транзисторами (ПТ) называются полупроводниковые усилительные приборы, в основе работы которых используются подвижные носители зарядов одного типа — либо электроны, либо дырки. Наиболее характерной чертой ПТ является высокое входное сопротивление, поэтому они управляются напряжением, а не током, как БТ.

Рисунок 2.8. Эквивалентная схема ПТ

Определяются малосигнальные Y-параметры ПТ по его эквивалентной схеме. Для целей эскизного проектирования можно использовать упрощенный вариант малосигнальной эквивалентной схемы ПТ, представленный на рис.2.8.

Данная схема с удовлетворительной для эскизного проектирования точностью аппроксимирует усилительные свойства ПТ независимо от его типа, параметры ее элементов находятся из справочных данных

Выражения для эквивалентных Y-параметров ПТ, включенного по схеме с ОИ определяют по методике п. 2.3:

Y_11з = j?C_зи,

Y_12з = j?C_зс,

Y_21и = S₀e^j??,

Y_22и = g_i + j?C_си.

Где з, с, и соответственно затвор, сток и исток ПТ; ? — время пролета носителей, ?=C_зи/S₀.

Граничную частоту единичного усиления ПТ f_T можно оценить по формуле:

f_T = 1/2??.

Анализ полученных выражений для эквивалентных Y-параметров ПТ, проведенный с учетом конкретных численных значений справочных параметров, позволяет сделать вывод о незначительной зависимости крутизны от частоты, что позволяет в эскизных расчетах использовать ее низкочастотное значение S₀. При отсутствии справочных данных о величине внутренней проводимости ПТ g_i, в эскизных расчетах можно принимать g_i?0 ввиду ее относительной малости.

Пересчет эквивалентных Y-параметров для других схем включения ПТ осуществляется по тем же правилам, что и для БТ.

Оглавление книги